程艳玲
,
索红莉
,
刘敏
,
马麟
,
张腾
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00481
采用硝酸盐为前驱盐制备涂层导体结构中的La2Zr2O7(LZO)过渡层. 实验通过对前驱盐粉体热分解行为的分析, 以及前驱盐溶液在铝酸镧(LAO)单晶和Ni5W合金基底上外延生长LZO膜层工艺的比较研究, 经优化获得了采用硝酸盐为前驱盐, 适用于Ni5W合金基底的低温两步热处理结合高温快速热处理制备LZO的工艺路线. 研究发现, 硝酸盐热分解过程及中间产物分解对外延织构的生成起着重要的作用. 取向分析显示LZO膜层(222)phi扫描和(400)ω扫描的半高宽分别为8.5°和8.1°, 这表明LZO膜层形成了较好的立方织构. SEM分析显示该工艺制备的膜层均匀致密, 没有裂纹和孔洞. 以上研究表明硝酸盐法可以应用于LZO过渡层的制备.
关键词:
硝酸盐
,
epitaxy
,
LaB2BZrB2BOB7B
,
Ni5W substrate
,
cube texture
,
coated conductor
季振国
,
娄垚
,
毛启楠
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00386
沉积参数对MOCVD法生长的AlxGa1-xN薄膜性能有很大的影响.利用高分辨XRD, 紫外－可见透射光谱, 原子力显微镜, 扫描电子显微镜和荧光光谱研究了沉积温度对低压MOCVD沉积的高Al含量的AlxGa1-xN外延膜缺陷密度以及发光性能的影响. 结果发现, 随着沉积温度的升高, AlxGa1-xN薄膜中的螺型位错密度减少, 但是刃型位错密度增加, 因此简单地改变沉积温度并不能降低总的位错密度以及提高薄膜的发光性能. 进一步地分析测试结果表明, 随着沉积温度的升高, AlxGa1-xN薄膜内的Al含量增加, 导致禁带宽度增大和发光波长的蓝移, 因此适当提高沉积温度（1000～1050℃）是获得高Al含量AlxGa1-xN薄膜的一种有效手段, 但是过高的沉积温度（>1100℃）不利于提高薄膜的发光强度.
关键词:
AlGaN
,
high Al content
,
MOCVD
,
epitaxy
,
deposition temperature
